Chips · IA · Samsung · HBM4E · NVIDIA
Samsung muestra HBM4E, su siguiente generación de memoria para IA
La presentación de GTC reúne memoria apilada, módulos de servidor y almacenamiento para centros de datos.
Fecha de la fuente original:
Lo esencial
- La presentación de GTC reúne memoria apilada, módulos de servidor y almacenamiento para centros de datos.
- HBM4E se exhibía como próxima generación; no se publicó fecha de venta y prestaciones son del fabricante.
Una nueva memoria de alto ancho de banda
Samsung anunció la primera exhibición de su memoria HBM4E en GTC 2026, con especificaciones de 16 gigabits por segundo por pin y cuatro terabytes por segundo de ancho de banda. La compañía presentó también tecnología de unión de cobre para futuras pilas de memoria de 16 o más capas.
Presentación y producción diferenciadas
El comunicado distingue esta demostración de HBM4 y SOCAMM2, que Samsung indicó que ya estaban en producción en masa. El conjunto se orienta a sistemas de IA, incluida la plataforma Vera Rubin. Las velocidades y reducciones térmicas son especificaciones del fabricante; Samsung no fija una fecha comercial para HBM4E.