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Samsung presenta memorias apiladas sobre aceleradores de IA
La propuesta zHBM acompaña a zNAND-O y a una NAND de más de 400 capas.
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Lo esencial
- V10 incorpora unión de obleas; zHBM busca integrar memoria y acelerador verticalmente.
Memoria más cerca del procesador
Samsung mostró en FMS los conceptos zHBM y zNAND-O. El primero coloca memoria HBM encima del acelerador de IA para acortar el recorrido de los datos; el segundo explora NAND de alto rendimiento en versiones de cuatro y ocho capas.
Una nueva arquitectura NAND
La compañía también presentó V10 BV-NAND, con más de 400 capas y unión de obleas, a la que atribuye una densidad aproximadamente 58% mayor que V9. zHBM y zNAND-O se exhibieron como conceptos en desarrollo; el anuncio describe una arquitectura futura, sin fijar disponibilidad comercial.